Nuevo material desarrollado por plasma fundamental para Internet de las Cosas

"Todos estos son elementos de los dispositivos de detección y comunicación en la Internet de las Cosas (IoT) y son la próxima generación de dispositivos inteligentes. El nuevo material que hemos desarrollado permitirá que los dispositivos inteligentes procesen información más rápidamente y se comuniquen mejor entre sí, tomen decisiones y actúen. Todo, desde los viajes espaciales hasta la atención médica, las ciudades inteligentes y nuestros hogares, se beneficiarán potencialmente de este material".

El nuevo material semiconductor se desarrolló utilizando plasma (gas ionizado) para separar capas de semiconductores atómicamente delgados con átomos de oxígeno.

Imagen: La intercalación de plasma de oxígeno suave crea ACMS 2D.

"Normalmente es muy difícil colocar moléculas de oxígeno entre las capas, por lo que utilizamos el plasma y los campos eléctricos generados por el plasma para cargar las moléculas de oxígeno y luego hacer que se aprieten entre las dos capas, levantando la capa superior lejos de la inferior", dijo Ostrikov.

"Cuando se separan, las dos capas atómicas se aíslan eléctricamente entre sí y los electrones pueden fluir a lo largo de cada capa 2-D sin perder electrones en la capa vecina. Este proceso dio como resultado nuevas propiedades como una fuerte fotoluminiscencia y fotocorriente que se pueden usar en dispositivos para brindar una mayor controlabilidad y corrientes alcanzables, dosis de luz y velocidades de respuesta que actualmente son difíciles de lograr. Este nuevo material podría hacer que la Internet de las Cosas y otros dispositivos sean más efectivos, rápidos y más baratos de producir".

El artículo de investigación "2D atomic crystal molecular superlattices by soft plasma intercalation" se publicó en Nature Communications.